창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IXGH85N30C3 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IXGH85N30C3 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | IGBT - 단일 | |
| 제조업체 | IXYS | |
| 계열 | GenX3™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| IGBT 유형 | PT | |
| 전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 300V | |
| 전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 75A | |
| 전류 - 콜렉터 펄스(Icm) | 420A | |
| Vce(on)(최대) @ Vge, Ic | 1.9V @ 15V, 85A | |
| 전력 - 최대 | 333W | |
| 스위칭 에너지 | 200µJ(켜기), 390µJ(끄기) | |
| 입력 유형 | 표준 | |
| 게이트 전하 | 136nC | |
| Td(온/오프) @ 25°C | 25ns/100ns | |
| 테스트 조건 | 200V, 42.5A, 3.3옴, 15V | |
| 역회복 시간(trr) | - | |
| 패키지/케이스 | TO-247-3 | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-247AD(IXGH) | |
| 표준 포장 | 30 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IXGH85N30C3 | |
| 관련 링크 | IXGH85, IXGH85N30C3 데이터 시트, IXYS 에이전트 유통 | |
![]() | 402F50033CLT | 50MHz ±30ppm 수정 12pF 60옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 402F50033CLT.pdf | |
![]() | CDRH2D16LDNP-8R2NC | 8.2µH Shielded Inductor 950mA 171 mOhm Max Nonstandard | CDRH2D16LDNP-8R2NC.pdf | |
![]() | AA0805JR-075M6L | RES SMD 5.6M OHM 5% 1/8W 0805 | AA0805JR-075M6L.pdf | |
![]() | RG1608N-2671-D-T5 | RES SMD 2.67KOHM 0.5% 1/10W 0603 | RG1608N-2671-D-T5.pdf | |
![]() | T6A39AFBG(C) | T6A39AFBG(C) Toshiba SOP DIP | T6A39AFBG(C).pdf | |
![]() | UPD65005GF-419-3138 | UPD65005GF-419-3138 NEC QFP | UPD65005GF-419-3138.pdf | |
![]() | 898-5-R150K | 898-5-R150K BI SMD or Through Hole | 898-5-R150K.pdf | |
![]() | 19-337/S2GHBHC-A01 | 19-337/S2GHBHC-A01 EVL SMD or Through Hole | 19-337/S2GHBHC-A01.pdf | |
![]() | MSCDRI-124-181M | MSCDRI-124-181M MAGLAYERS SMD | MSCDRI-124-181M.pdf | |
![]() | 2SJ356-T1 /PR | 2SJ356-T1 /PR NEC SMD or Through Hole | 2SJ356-T1 /PR.pdf | |
![]() | CL-VNI1/2H0.1-2.3X6. | CL-VNI1/2H0.1-2.3X6. ORIGINAL SMD or Through Hole | CL-VNI1/2H0.1-2.3X6..pdf | |
![]() | TLC549MP | TLC549MP TI DIP | TLC549MP.pdf |