창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IXFX90N20Q | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | ||
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IXF(X,K)90N20Q | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | IXYS | |
| 계열 | HiPerFET™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 200V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 90A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 22m옴 @ 45A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 4mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 190nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 6800pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 500W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-247-3 | |
| 공급 장치 패키지 | PLUS247™-3 | |
| 표준 포장 | 30 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IXFX90N20Q | |
| 관련 링크 | IXFX90, IXFX90N20Q 데이터 시트, IXYS 에이전트 유통 | |
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| GA100JT12-227 | TRANS SJT 1200V 160A SOT227 | GA100JT12-227.pdf | ||
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![]() | RT1210CRD0782K5L | RES SMD 82.5KOHM 0.25% 1/4W 1210 | RT1210CRD0782K5L.pdf | |
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![]() | SFR25H0003920FR500 | RES 392 OHM 1/2W 1% AXIAL | SFR25H0003920FR500.pdf | |
![]() | DE11XKX330J | DE11XKX330J MURATA SMD or Through Hole | DE11XKX330J.pdf | |
![]() | S-80829ANMP-EDS-T2 | S-80829ANMP-EDS-T2 SEIKO SOT-153 | S-80829ANMP-EDS-T2.pdf | |
![]() | SB62726P | SB62726P SHLW SOP | SB62726P.pdf | |
![]() | D27128A-2/K0172417 | D27128A-2/K0172417 INTEL DIP-28 | D27128A-2/K0172417.pdf | |
![]() | HCPL-4504-020 | HCPL-4504-020 Agilent DIP | HCPL-4504-020.pdf |