창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IXFX80N50Q3 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IXFx80N50Q3 | |
| 주요제품 | Q3-Class HiPerFET™ Power MOSFETs | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | IXYS | |
| 계열 | HiPerFET™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 500V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 80A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 65m옴 @ 40A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 6.5V @ 8mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 200nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 10000pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 1250W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-247-3 | |
| 공급 장치 패키지 | PLUS247™-3 | |
| 표준 포장 | 30 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IXFX80N50Q3 | |
| 관련 링크 | IXFX80, IXFX80N50Q3 데이터 시트, IXYS 에이전트 유통 | |
![]() | CRCW020197R6FNED | RES SMD 97.6 OHM 1% 1/20W 0201 | CRCW020197R6FNED.pdf | |
![]() | CNB2B9ZTTE103J | CNB2B9ZTTE103J ORIGINAL SMD or Through Hole | CNB2B9ZTTE103J.pdf | |
![]() | HRS1KH | HRS1KH ORIGINAL SMD or Through Hole | HRS1KH.pdf | |
![]() | K4T1G1646QZ-HCF8 | K4T1G1646QZ-HCF8 SAMSUNG BGA | K4T1G1646QZ-HCF8.pdf | |
![]() | CTV322SPRC4 | CTV322SPRC4 N/A SMD or Through Hole | CTV322SPRC4.pdf | |
![]() | 4350297/ | 4350297/ RFMD QFN | 4350297/.pdf | |
![]() | H4R25PF29BS | H4R25PF29BS Tyco con | H4R25PF29BS.pdf | |
![]() | 0402CS-5N6XKBC | 0402CS-5N6XKBC ORIGINAL SMD or Through Hole | 0402CS-5N6XKBC.pdf | |
![]() | tpsd106k035r030 | tpsd106k035r030 avx SMD or Through Hole | tpsd106k035r030.pdf | |
![]() | UUD1V221MNR1GS8X1 | UUD1V221MNR1GS8X1 NICHICON SMD or Through Hole | UUD1V221MNR1GS8X1.pdf | |
![]() | M1-6611-2 | M1-6611-2 HARRIS DIP16 | M1-6611-2.pdf | |
![]() | LC75782 | LC75782 SANYO SOP | LC75782.pdf |