창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IXFX40N90P | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IXF(K,X)40N90P | |
| 주요제품 | 900 V Polar HiPerFET™ Power MOSFETs | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | IXYS | |
| 계열 | HiPerFET™, PolarP2™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 900V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 40A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 230m옴 @ 20A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 6.5V @ 1mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 230nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 14000pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 960W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-247-3 | |
| 공급 장치 패키지 | PLUS247™-3 | |
| 표준 포장 | 30 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IXFX40N90P | |
| 관련 링크 | IXFX40, IXFX40N90P 데이터 시트, IXYS 에이전트 유통 | |
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| AT-8.000MAHK-T | 8MHz ±30ppm 수정 20pF 120옴 -40°C ~ 85°C AEC-Q200 표면실장(SMD, SMT) HC49/US | AT-8.000MAHK-T.pdf | ||
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![]() | T352C106M010AS | T352C106M010AS KEMET DIP | T352C106M010AS.pdf | |
![]() | ADV7402KST | ADV7402KST ADV QFP | ADV7402KST.pdf | |
![]() | HD64F7055SBP40K | HD64F7055SBP40K Renesas PRBG0272FA-A | HD64F7055SBP40K.pdf | |
![]() | 2332747 | 2332747 varie SMD or Through Hole | 2332747.pdf | |
![]() | H260QN03V2(N) | H260QN03V2(N) AUO Tray.B | H260QN03V2(N).pdf | |
![]() | 55034722200- | 55034722200- SUMIDA SMD | 55034722200-.pdf |