창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IXFX180N085 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IXF(K,X)180N085 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | IXYS | |
| 계열 | HiPerFET™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 85V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 180A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 7m옴 @ 500mA, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 8mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 320nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 9100pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 560W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-247-3 | |
| 공급 장치 패키지 | PLUS247™-3 | |
| 표준 포장 | 30 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IXFX180N085 | |
| 관련 링크 | IXFX18, IXFX180N085 데이터 시트, IXYS 에이전트 유통 | |
![]() | 744066330 | 33µH Shielded Wirewound Inductor 2.1A 112 mOhm Max Nonstandard | 744066330.pdf | |
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![]() | TLP3762F | TLP3762F TOSHIBA DIP6 | TLP3762F.pdf | |
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![]() | 5D28-100K | 5D28-100K ORIGINAL SMD or Through Hole | 5D28-100K.pdf | |
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![]() | WW25MR003FT | WW25MR003FT WALSIN SMD or Through Hole | WW25MR003FT.pdf | |
![]() | GL512N11FF101 | GL512N11FF101 SPANSION BGA | GL512N11FF101.pdf | |
![]() | HR051001 | HR051001 HR SMD or Through Hole | HR051001.pdf |