창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IXFX150N15 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IXF(K,X)150N15 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | IXYS | |
| 계열 | HiPerFET™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 150V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 150A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 12.5m옴 @ 75A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 8mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 360nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 9100pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 560W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-247-3 | |
| 공급 장치 패키지 | PLUS247™-3 | |
| 표준 포장 | 30 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IXFX150N15 | |
| 관련 링크 | IXFX15, IXFX150N15 데이터 시트, IXYS 에이전트 유통 | |
![]() | 5VT 160-R | FUSE GLASS 160MA 250VAC 5X20MM | 5VT 160-R.pdf | |
![]() | SMF10A | TVS DIODE 10VWM 17VC SOD123 | SMF10A.pdf | |
![]() | DD3X062J0L | TVS DIODE 5.5VWM SC85 | DD3X062J0L.pdf | |
![]() | RT1206CRC071K37L | RES SMD 1.37KOHM 0.25% 1/4W 1206 | RT1206CRC071K37L.pdf | |
![]() | BL-HE1Y033B-TRB | BL-HE1Y033B-TRB ORIGINAL SMD or Through Hole | BL-HE1Y033B-TRB.pdf | |
![]() | ECRTN020E11W | ECRTN020E11W ORIGINAL 2X2 | ECRTN020E11W.pdf | |
![]() | SHMS-2825#L31 | SHMS-2825#L31 SHMS-#L SMD or Through Hole | SHMS-2825#L31.pdf | |
![]() | SDA20562-A510 | SDA20562-A510 SIEMENS DIP | SDA20562-A510.pdf | |
![]() | SA5752D | SA5752D S SO20 | SA5752D.pdf | |
![]() | C3225JB1V106M(3225 10UF) | C3225JB1V106M(3225 10UF) TDK 3225C | C3225JB1V106M(3225 10UF).pdf | |
![]() | XDL-D06 | XDL-D06 XDL SMD or Through Hole | XDL-D06.pdf | |
![]() | G910T65UF | G910T65UF GMT SOT-223 | G910T65UF.pdf |