창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IXFV16N80P | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IXF(H,T)16N80P, IXFV16N80P/PS | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | IXYS | |
| 계열 | HiPerFET™, PolarHT™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 800V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 16A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 600m옴 @ 500mA, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 4mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 71nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 4600pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 460W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3, 짧은 탭 | |
| 공급 장치 패키지 | PLUS220 | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IXFV16N80P | |
| 관련 링크 | IXFV16, IXFV16N80P 데이터 시트, IXYS 에이전트 유통 | |
![]() | SMCG6065/TR13 | TVS DIODE 95VWM 176VC DO215AB | SMCG6065/TR13.pdf | |
![]() | CRCW251212K7FKEG | RES SMD 12.7K OHM 1% 1W 2512 | CRCW251212K7FKEG.pdf | |
![]() | NM177BO3A(PW560) | NM177BO3A(PW560) LG SMD or Through Hole | NM177BO3A(PW560).pdf | |
![]() | PEB2085P-V2.3 | PEB2085P-V2.3 SIEMENS DIP | PEB2085P-V2.3.pdf | |
![]() | FA-248-13.00MHZ-10PF | FA-248-13.00MHZ-10PF EPSON SMD or Through Hole | FA-248-13.00MHZ-10PF.pdf | |
![]() | PCI1512ZVE | PCI1512ZVE TI BGA | PCI1512ZVE.pdf | |
![]() | 1939737-1 | 1939737-1 amp smd | 1939737-1.pdf | |
![]() | GJ772-Q | GJ772-Q GTM TO252 | GJ772-Q.pdf | |
![]() | 241R950 | 241R950 AD SOP8 | 241R950.pdf | |
![]() | BCM4200B-KEF | BCM4200B-KEF BROADCOM SMD or Through Hole | BCM4200B-KEF.pdf | |
![]() | 53C1SW10K | 53C1SW10K HONEYWELL SMD or Through Hole | 53C1SW10K.pdf | |
![]() | NRSH331M10V6.3X11F | NRSH331M10V6.3X11F NIC DIP | NRSH331M10V6.3X11F.pdf |