창고: HONGKONG
								날짜 코드: 최신 Date Code
								제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IXFT80N15Q | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IXF(H,K,T)80N15Q | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | IXYS | |
| 계열 | HiPerFET™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 150V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 80A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 22.5m옴 @ 40A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 4mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 180nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 4500pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 360W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-268-3, D³Pak(2리드(lead)+탭), TO-268AA | |
| 공급 장치 패키지 | TO-268 | |
| 표준 포장 | 30 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IXFT80N15Q | |
| 관련 링크 | IXFT80, IXFT80N15Q 데이터 시트, IXYS 에이전트 유통 | |
|  | 3-1625868-9 | RES SMD 13.3 OHM 0.1% 1/4W 0805 | 3-1625868-9.pdf | |
|  | SAW5670 | SAW5670 AUK ROHS | SAW5670.pdf | |
|  | CE5037 | CE5037 ORIGINAL QFN28 | CE5037.pdf | |
|  | S-1131B1B18PD-N4D-TF | S-1131B1B18PD-N4D-TF SEIKO SOT-89-3 | S-1131B1B18PD-N4D-TF.pdf | |
|  | 8412NGH | 8412NGH EBM/PAPST SMD or Through Hole | 8412NGH.pdf | |
|  | QM300HA-2H/24 | QM300HA-2H/24 GTR SMD or Through Hole | QM300HA-2H/24.pdf | |
|  | AD548AJH | AD548AJH AD CAN8 | AD548AJH.pdf | |
|  | ND06R00333K | ND06R00333K AVX DIP | ND06R00333K.pdf | |
|  | SI3400ISO-EVB | SI3400ISO-EVB Silicon Onlyoriginal | SI3400ISO-EVB.pdf | |
|  | MFSM250 | MFSM250 BOU SMD or Through Hole | MFSM250.pdf | |
|  | STV9421. | STV9421. ST DIP20 | STV9421..pdf |