창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IXFT70N20Q3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IXFx70N20Q3 | |
주요제품 | Q3-Class HiPerFET™ Power MOSFETs | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | IXYS | |
계열 | HiPerFET™ | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 200V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 70A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 40m옴 @ 35A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 6.5V @ 4mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 67nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3150pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 690W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-268-3, D³Pak(2리드(lead)+탭), TO-268AA | |
공급 장치 패키지 | TO-268 | |
표준 포장 | 30 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IXFT70N20Q3 | |
관련 링크 | IXFT70, IXFT70N20Q3 데이터 시트, IXYS 에이전트 유통 |
403C11J19M68000 | 19.68MHz ±10ppm 수정 9pF 80옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 403C11J19M68000.pdf | ||
Y08500R15000G3R | RES SMD 0.15 OHM 1/2W 2516 WIDE | Y08500R15000G3R.pdf | ||
RNF14DTC1K15 | RES 1.15K OHM 1/4W .5% AXIAL | RNF14DTC1K15.pdf | ||
CW01040K00KE73 | RES 40K OHM 13W 10% AXIAL | CW01040K00KE73.pdf | ||
ET218F-LP | ET218F-LP BOPLA SMD or Through Hole | ET218F-LP.pdf | ||
TLC2274PWR | TLC2274PWR TI TSSOP16 | TLC2274PWR.pdf | ||
BGJ139 | BGJ139 ORIGINAL DIP | BGJ139.pdf | ||
EETUQ1V273LJ | EETUQ1V273LJ ORIGINAL DIP | EETUQ1V273LJ.pdf | ||
RTL8188KE | RTL8188KE REALTEK QFN | RTL8188KE.pdf | ||
ADUM1201CRZ-RL7CT-ND | ADUM1201CRZ-RL7CT-ND ORIGINAL SMD or Through Hole | ADUM1201CRZ-RL7CT-ND.pdf | ||
SU3028150YLB | SU3028150YLB ABC SMD or Through Hole | SU3028150YLB.pdf |