창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IXFT320N10T2 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IXFx320N10T2 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | IXYS | |
계열 | GigaMOS™, HiPerFET™, TrenchT2™ | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 320A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 3.5m옴 @ 100A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 430nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 26000pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 1000W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-268-3, D³Pak(2리드(lead)+탭), TO-268AA | |
공급 장치 패키지 | TO-268 | |
표준 포장 | 30 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IXFT320N10T2 | |
관련 링크 | IXFT320, IXFT320N10T2 데이터 시트, IXYS 에이전트 유통 |
![]() | V10E140L4B | V10E140L4B LITTELFUSE DIP | V10E140L4B.pdf | |
![]() | 14013BG | 14013BG ON SOP-14 | 14013BG.pdf | |
![]() | 85502-0009 | 85502-0009 MOLEX ORIGINAL | 85502-0009.pdf | |
![]() | CT-6EMP10K | CT-6EMP10K COPAL SMD or Through Hole | CT-6EMP10K.pdf | |
![]() | 50mm/6P(1.0) | 50mm/6P(1.0) ORIGINAL SMD or Through Hole | 50mm/6P(1.0).pdf | |
![]() | CE8301A36M | CE8301A36M CE SMD or Through Hole | CE8301A36M.pdf | |
![]() | N80C151SB16 | N80C151SB16 INT Call | N80C151SB16.pdf | |
![]() | KTN4403 | KTN4403 VISHAY SOT-23 | KTN4403.pdf | |
![]() | 90120-0780 | 90120-0780 MOLEX SMD or Through Hole | 90120-0780.pdf | |
![]() | SEL6413E-TG | SEL6413E-TG Sanken N A | SEL6413E-TG.pdf |