창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IXFR27N80Q | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IXF(K,R,X)27N80Q | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | IXYS | |
계열 | HiPerFET™ | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 800V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 27A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 300m옴 @ 13.5A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4.5V @ 4mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 170nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 7600pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 500W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | ISOPLUS247™ | |
공급 장치 패키지 | ISOPLUS247™ | |
표준 포장 | 30 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IXFR27N80Q | |
관련 링크 | IXFR27, IXFR27N80Q 데이터 시트, IXYS 에이전트 유통 |
![]() | 5WH103ZACJH | 10000pF 50V 세라믹 커패시터 Y5P(B) 방사형, 디스크 0.236" Dia(6.00mm) | 5WH103ZACJH.pdf | |
![]() | RAVF104DJT470R | RES ARRAY 4 RES 470 OHM 0804 | RAVF104DJT470R.pdf | |
![]() | RD11M-T1-A | RD11M-T1-A NEC O805 | RD11M-T1-A.pdf | |
![]() | IU | IU ORIGINAL 6 MicroDFN | IU.pdf | |
![]() | TLP421GB(GB-TP1) | TLP421GB(GB-TP1) TOSHIBA SOP-4 | TLP421GB(GB-TP1).pdf | |
![]() | SG3845N | SG3845N ORIGINAL SMD or Through Hole | SG3845N.pdf | |
![]() | IRFZ22 | IRFZ22 IR T0220-3 | IRFZ22.pdf | |
![]() | NECB021 | NECB021 NICHIA ROHS | NECB021.pdf | |
![]() | BRAVL | BRAVL NO SOP-6 | BRAVL.pdf | |
![]() | VSH3216D18NR | VSH3216D18NR samwha SMD or Through Hole | VSH3216D18NR.pdf | |
![]() | S1NAD80-5063 | S1NAD80-5063 SHINDENG 1NA | S1NAD80-5063.pdf | |
![]() | CYRF69303-40LTXC | CYRF69303-40LTXC CYPRESSCOM QFN | CYRF69303-40LTXC.pdf |