창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IXFQ23N60Q | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
표준 포장 | 1 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | IXYS | |
계열 | - | |
포장 | 벌크 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 23A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | - | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | - | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | - | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | - | |
전력 - 최대 | - | |
작동 온도 | - | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-268-3, D³Pak(2리드(lead)+탭), TO-268AA | |
공급 장치 패키지 | TO-268 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IXFQ23N60Q | |
관련 링크 | IXFQ23, IXFQ23N60Q 데이터 시트, IXYS 에이전트 유통 |
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![]() | 416F26033ALT | 26MHz ±30ppm 수정 12pF 200옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F26033ALT.pdf | |
![]() | H11C4SM | H11C4SM FSC/VISHAY/INF DIPSOP6 | H11C4SM.pdf | |
![]() | R7S20808 | R7S20808 Powerex module | R7S20808.pdf | |
![]() | 54LS54FMQB | 54LS54FMQB F SOP14 | 54LS54FMQB.pdf | |
![]() | SFPB-64V /C45N | SFPB-64V /C45N SANKEN 1808 | SFPB-64V /C45N.pdf | |
![]() | RN1409(XJ) | RN1409(XJ) TOSHIBA SOT23 | RN1409(XJ).pdf | |
![]() | TG24-S001NCRL | TG24-S001NCRL HALO SOP12 | TG24-S001NCRL.pdf | |
![]() | 1.1Kohm F (1101) | 1.1Kohm F (1101) INFNEON SMD or Through Hole | 1.1Kohm F (1101).pdf | |
![]() | PD481PI | PD481PI SHARP DIP | PD481PI.pdf | |
![]() | QSMN-C193 | QSMN-C193 AVAGO ROHS | QSMN-C193.pdf | |
![]() | ZS1H226M6L007PS880 | ZS1H226M6L007PS880 SAMWHA SMD or Through Hole | ZS1H226M6L007PS880.pdf |