창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IXFQ22N60P3 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IXFx22N60P3 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | IXYS | |
| 계열 | HiPerFET™, Polar3™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 22A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 360m옴 @ 11A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 1.5mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 38nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2600pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 500W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-3P-3, SC-65-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-3P | |
| 표준 포장 | 30 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IXFQ22N60P3 | |
| 관련 링크 | IXFQ22, IXFQ22N60P3 데이터 시트, IXYS 에이전트 유통 | |
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![]() | RCN02-10T102JTP | RCN02-10T102JTP ORIGINAL 0603X5(10P8R) | RCN02-10T102JTP.pdf | |
![]() | LAH-160V682MS1 | LAH-160V682MS1 ELNA DIP | LAH-160V682MS1.pdf | |
![]() | MPC1723V | MPC1723V MOT SSOP | MPC1723V.pdf | |
![]() | CLC410A8B | CLC410A8B NS DIP | CLC410A8B.pdf | |
![]() | CSTLA12M0-T55-A0(MTW-TF01) | CSTLA12M0-T55-A0(MTW-TF01) MURA SMD or Through Hole | CSTLA12M0-T55-A0(MTW-TF01).pdf |