창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IXFP3N80 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IXF(A,P)3N80 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | IXYS | |
| 계열 | HiPerFET™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 800V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 3.6A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 3.6옴 @ 500mA, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4.5V @ 1mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 24nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 685pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 100W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220AB | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IXFP3N80 | |
| 관련 링크 | IXFP, IXFP3N80 데이터 시트, IXYS 에이전트 유통 | |
![]() | LP143F35CET | 14.31818MHz ±30ppm 수정 20pF 40옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US | LP143F35CET.pdf | |
![]() | RT1210BRD07237KL | RES SMD 237K OHM 0.1% 1/4W 1210 | RT1210BRD07237KL.pdf | |
![]() | 123NQ090 | 123NQ090 ORIGINAL SMD or Through Hole | 123NQ090.pdf | |
![]() | ITT420 | ITT420 ORIGINAL CAN3 | ITT420.pdf | |
![]() | VS51C12816-7TG | VS51C12816-7TG VS TSSOP54 | VS51C12816-7TG.pdf | |
![]() | ACML-0805H-101 | ACML-0805H-101 Abracon NA | ACML-0805H-101.pdf | |
![]() | D42S18165LG5-A50-7JF | D42S18165LG5-A50-7JF NEC TSOP | D42S18165LG5-A50-7JF.pdf | |
![]() | 2SA1301,2S | 2SA1301,2S TOSHIBA SMD or Through Hole | 2SA1301,2S.pdf | |
![]() | KSS55C370-09 | KSS55C370-09 ORIGINAL DIP40 | KSS55C370-09.pdf | |
![]() | C3-AG | C3-AG RICHTEK MSOP8 | C3-AG.pdf | |
![]() | 85HFR100S02 | 85HFR100S02 IR SMD or Through Hole | 85HFR100S02.pdf | |
![]() | DM54S283J | DM54S283J NSC DIP | DM54S283J.pdf |