창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IXFP34N65X2 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IXFx34N65X2 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | IXYS | |
| 계열 | HiPerFET™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 650V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 34A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 105m옴 @ 17A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5.5V @ 2.5mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 56nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3330pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 540W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220AB | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 다른 이름 | IXFP34N65X2X IXFP34N65X2X-ND | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IXFP34N65X2 | |
| 관련 링크 | IXFP34, IXFP34N65X2 데이터 시트, IXYS 에이전트 유통 | |
![]() | SPM3020T-1R0M | 1µH Shielded Wirewound Inductor 3.8A 42.2 mOhm Max Nonstandard | SPM3020T-1R0M.pdf | |
![]() | CRCW12101R33FKEAHP | RES SMD 1.33 OHM 1% 3/4W 1210 | CRCW12101R33FKEAHP.pdf | |
![]() | MS46SR-20-610-Q2-10X-10R-NO-FN | SYSTEM | MS46SR-20-610-Q2-10X-10R-NO-FN.pdf | |
![]() | AD7011ARS-REEL | AD7011ARS-REEL AD SSOP | AD7011ARS-REEL.pdf | |
![]() | W3116T | W3116T WINSLOW SMD or Through Hole | W3116T.pdf | |
![]() | OMI-SS-224LM | OMI-SS-224LM TYCO SMD or Through Hole | OMI-SS-224LM.pdf | |
![]() | UPC393G2-E1(MS) | UPC393G2-E1(MS) NEC SOP 8 | UPC393G2-E1(MS).pdf | |
![]() | SN56268 | SN56268 sonix SMD or Through Hole | SN56268.pdf | |
![]() | RC2010JR-07300KL 2010 300K | RC2010JR-07300KL 2010 300K ORIGINAL SMD or Through Hole | RC2010JR-07300KL 2010 300K.pdf | |
![]() | JY48E-K | JY48E-K TAKAMISAWA DIP-SOP | JY48E-K.pdf | |
![]() | CD1167 | CD1167 ORIGINAL DIP14 | CD1167.pdf | |
![]() | R5F21112FP#V0 | R5F21112FP#V0 Renesas 32-LQFP | R5F21112FP#V0.pdf |