창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IXFP20N50P3 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IXFx20N50P3 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | IXYS | |
| 계열 | HiPerFET™, Polar3™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 500V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 8A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 300m옴 @ 10A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 1.5mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 36nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1800pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 58W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220AB | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IXFP20N50P3 | |
| 관련 링크 | IXFP20, IXFP20N50P3 데이터 시트, IXYS 에이전트 유통 | |
![]() | 416F52033AKT | 52MHz ±30ppm 수정 8pF 100옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F52033AKT.pdf | |
![]() | 3362R-1-253 | 25k Ohm 0.5W, 1/2W PC Pins Through Hole Trimmer Potentiometer Cermet 1 Turn Top Adjustment | 3362R-1-253.pdf | |
![]() | IHSM4825RE121L | 120µH Unshielded Inductor 660mA 735 mOhm Max Nonstandard | IHSM4825RE121L.pdf | |
![]() | CMF5061R900DHBF | RES 61.9 OHM 1/4W .5% AXIAL | CMF5061R900DHBF.pdf | |
![]() | AT24C01A-SU27 | AT24C01A-SU27 AT SOP8 | AT24C01A-SU27.pdf | |
![]() | 2SM155-400 | 2SM155-400 HITACHI SMD or Through Hole | 2SM155-400.pdf | |
![]() | JRC2296D | JRC2296D JRC DIP | JRC2296D.pdf | |
![]() | R1115Z181D-TR-F | R1115Z181D-TR-F RICOH 0603BGA | R1115Z181D-TR-F.pdf | |
![]() | TEESVD21C476M12R | TEESVD21C476M12R NEC/TOKINELECTRONICS ORIGINAL | TEESVD21C476M12R.pdf | |
![]() | STUB515 | STUB515 EIC SMA | STUB515.pdf | |
![]() | PBL38782/1 RI | PBL38782/1 RI ORIGINAL SMD or Through Hole | PBL38782/1 RI.pdf |