창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IXFP130N10T | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IXF(A,P)130N10T | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | IXYS | |
| 계열 | TrenchMV™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 130A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 9.1m옴 @ 25A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4.5V @ 1mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 104nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 5080pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 360W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220AB | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IXFP130N10T | |
| 관련 링크 | IXFP13, IXFP130N10T 데이터 시트, IXYS 에이전트 유통 | |
![]() | 416F25022ADT | 25MHz ±20ppm 수정 18pF 200옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F25022ADT.pdf | |
![]() | CW252016-R56J | 560nH Unshielded Wirewound Inductor 400mA 1.33 Ohm Max 1008 (2520 Metric) | CW252016-R56J.pdf | |
![]() | RMCF2512FT2R43 | RES SMD 2.43 OHM 1% 1W 2512 | RMCF2512FT2R43.pdf | |
![]() | UPD78012FCW | UPD78012FCW NEC DIP64 | UPD78012FCW.pdf | |
![]() | RG2E106M10016BB180 | RG2E106M10016BB180 SAMWHA SMD or Through Hole | RG2E106M10016BB180.pdf | |
![]() | BA15218F-E2D | BA15218F-E2D ROHM SOP-8 | BA15218F-E2D.pdf | |
![]() | CR3AM-12A | CR3AM-12A ORIGINAL TO-202 | CR3AM-12A.pdf | |
![]() | PEB82538HV3.2 | PEB82538HV3.2 SIEMSENS SMD or Through Hole | PEB82538HV3.2.pdf | |
![]() | R185CH18 | R185CH18 WESTCODE SMD or Through Hole | R185CH18.pdf | |
![]() | HFBR5205S | HFBR5205S HP SMD or Through Hole | HFBR5205S.pdf | |
![]() | APM6968C | APM6968C ORIGINAL TSSOP-8 | APM6968C.pdf |