창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IXFN90N85X | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IXFN90N85X | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | IXYS | |
| 계열 | HiPerFET™ | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 신제품 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 850V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 90A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 41m옴 @ 500mA, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5.5V @ 8mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 340nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 13300pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 1200W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 섀시 실장 | |
| 패키지/케이스 | SOT-227-4, miniBLOC | |
| 공급 장치 패키지 | SOT-227B | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IXFN90N85X | |
| 관련 링크 | IXFN90, IXFN90N85X 데이터 시트, IXYS 에이전트 유통 | |
![]() | SIT8208AI-22-33E-25.000625T | OSC XO 3.3V 25.000625MHZ OE | SIT8208AI-22-33E-25.000625T.pdf | |
![]() | AT0805DRE0754K9L | RES SMD 54.9K OHM 0.5% 1/8W 0805 | AT0805DRE0754K9L.pdf | |
![]() | RT0603BRB076K34L | RES SMD 6.34KOHM 0.1% 1/10W 0603 | RT0603BRB076K34L.pdf | |
![]() | Y00072K84000B9L | RES 2.84K OHM 0.6W 0.1% RADIAL | Y00072K84000B9L.pdf | |
![]() | RTT031R50F | RTT031R50F RALEC na | RTT031R50F.pdf | |
![]() | 50USC6800MSN22X45 | 50USC6800MSN22X45 RUM DIP | 50USC6800MSN22X45.pdf | |
![]() | CLA901017CX | CLA901017CX INTELOGIS QFP44 | CLA901017CX.pdf | |
![]() | TQ8008-ADJ++ | TQ8008-ADJ++ TQ SOT-23-5L | TQ8008-ADJ++.pdf | |
![]() | F2556* | F2556* Littelfuse SMD or Through Hole | F2556*.pdf | |
![]() | 6R6D10A-120BHX-03 | 6R6D10A-120BHX-03 FUJI SMD or Through Hole | 6R6D10A-120BHX-03.pdf | |
![]() | IRF1404B6K | IRF1404B6K ORIGINAL SMD or Through Hole | IRF1404B6K.pdf | |
![]() | LWT50H-522-HFP | LWT50H-522-HFP ORIGINAL STOCK | LWT50H-522-HFP.pdf |