창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IXFN82N60Q3 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IXFN82N60Q3 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | IXYS | |
| 계열 | HiPerFET™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 66A | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 75m옴 @ 41A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 6.5V @ 8mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 275nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 13500pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 960W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 섀시 실장 | |
| 패키지/케이스 | SOT-227-4, miniBLOC | |
| 공급 장치 패키지 | SOT-227B | |
| 표준 포장 | 10 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IXFN82N60Q3 | |
| 관련 링크 | IXFN82, IXFN82N60Q3 데이터 시트, IXYS 에이전트 유통 | |
![]() | 06035U111FAT2A | 110pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.060" L x 0.030" W(1.52mm x 0.76mm) | 06035U111FAT2A.pdf | |
![]() | SIT5002AI-3E-25E0-100.000000Y | OSC XO 2.5V 100MHZ OE | SIT5002AI-3E-25E0-100.000000Y.pdf | |
![]() | 1N4733A-TP | DIODE ZENER 5.1V 1W DO41G | 1N4733A-TP.pdf | |
![]() | MBB02070D4991DC100 | RES 4.99K OHM 0.6W 0.5% AXIAL | MBB02070D4991DC100.pdf | |
![]() | H4P51KDZA | RES 51K OHM 1W 0.5% AXIAL | H4P51KDZA.pdf | |
![]() | PDZ2.4BA | PDZ2.4BA NXP SOD-323 | PDZ2.4BA.pdf | |
![]() | BYT42B-TAP | BYT42B-TAP VISHAY DIP | BYT42B-TAP.pdf | |
![]() | F935DM | F935DM F CDIP | F935DM.pdf | |
![]() | IDT7130SA55PFG | IDT7130SA55PFG IDT QFP64 | IDT7130SA55PFG.pdf | |
![]() | BZT55-C5V1 | BZT55-C5V1 GOOD-ARK SOD-80 | BZT55-C5V1.pdf | |
![]() | HBLXT9785HC.D0SE000 | HBLXT9785HC.D0SE000 INTEL SMD or Through Hole | HBLXT9785HC.D0SE000.pdf | |
![]() | KIA4N60P | KIA4N60P KIA TO251 TO252 TO220F | KIA4N60P.pdf |