창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IXFN80N50Q3 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IXFN80N50Q3 | |
| 주요제품 | Q3-Class HiPerFET™ Power MOSFETs | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | IXYS | |
| 계열 | HiPerFET™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 500V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 63A | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 65m옴 @ 40A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 6.5V @ 8mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 200nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 10000pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 780W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 섀시 실장 | |
| 패키지/케이스 | SOT-227-4, miniBLOC | |
| 공급 장치 패키지 | SOT-227B | |
| 표준 포장 | 10 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IXFN80N50Q3 | |
| 관련 링크 | IXFN80, IXFN80N50Q3 데이터 시트, IXYS 에이전트 유통 | |
![]() | 7010.9968.63 | FUSE BOARD MOUNT 5A 125VAC/VDC | 7010.9968.63.pdf | |
![]() | KMQ10VB471M6X11LL | KMQ10VB471M6X11LL UMITEDCHEMI-CON DIP | KMQ10VB471M6X11LL.pdf | |
![]() | NL252018T-R47K-N | NL252018T-R47K-N TDK SMD | NL252018T-R47K-N.pdf | |
![]() | RD4.3FM-T1B | RD4.3FM-T1B NEC SOD106 | RD4.3FM-T1B.pdf | |
![]() | LNBPZ10Z | LNBPZ10Z STM SOP-20 | LNBPZ10Z.pdf | |
![]() | MC778P | MC778P MOT SMD or Through Hole | MC778P.pdf | |
![]() | 1206F226M100 | 1206F226M100 WALSIN SMD or Through Hole | 1206F226M100.pdf | |
![]() | RC0805JR-109K1L | RC0805JR-109K1L YAGEO SMD or Through Hole | RC0805JR-109K1L.pdf | |
![]() | PIC12LF1822-I/SN | PIC12LF1822-I/SN Microchip 8SOIC | PIC12LF1822-I/SN.pdf | |
![]() | G3TA-IDZRO2S-5/24VDC | G3TA-IDZRO2S-5/24VDC OMRON SMD or Through Hole | G3TA-IDZRO2S-5/24VDC.pdf | |
![]() | 1SMC5377 | 1SMC5377 Panjit DO-214AB | 1SMC5377.pdf |