창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IXFN73N30Q | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IXFN73N30Q | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | IXYS | |
| 계열 | HiPerFET™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 300V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 73A | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 45m옴 @ 500mA, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 4mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 195nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 5400pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 500W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 섀시 실장 | |
| 패키지/케이스 | SOT-227-4, miniBLOC | |
| 공급 장치 패키지 | SOT-227B | |
| 표준 포장 | 10 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IXFN73N30Q | |
| 관련 링크 | IXFN73, IXFN73N30Q 데이터 시트, IXYS 에이전트 유통 | |
![]() | SPB80N03S2L05T | MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK | SPB80N03S2L05T.pdf | |
![]() | AP2204K-3.0TRG1. | AP2204K-3.0TRG1. BCD SOT23-5 | AP2204K-3.0TRG1..pdf | |
![]() | 74HCT4066E | 74HCT4066E HAR DIP-14 | 74HCT4066E.pdf | |
![]() | H64040L | H64040L HELIOS QFP | H64040L.pdf | |
![]() | 38438 | 38438 ST SOP8 | 38438.pdf | |
![]() | B39202-B9022-E610 | B39202-B9022-E610 EPCOS SMD or Through Hole | B39202-B9022-E610.pdf | |
![]() | MF-SMDF200 | MF-SMDF200 bourns SMD or Through Hole | MF-SMDF200.pdf | |
![]() | CSD10060A | CSD10060A CREE TO-220-2 | CSD10060A.pdf | |
![]() | 33.200M | 33.200M EPSON SG8002JF | 33.200M.pdf | |
![]() | IB888-11AT | IB888-11AT IBASE SMD or Through Hole | IB888-11AT.pdf | |
![]() | MO-100ST52A102J | MO-100ST52A102J MATEFORD SMD or Through Hole | MO-100ST52A102J.pdf | |
![]() | mt48h4m32lfb5-7 | mt48h4m32lfb5-7 micron SMD or Through Hole | mt48h4m32lfb5-7.pdf |