창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IXFN73N30 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | ||
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IXF(K,N)73N30 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | IXYS | |
계열 | HiPerFET™ | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 300V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 73A | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 45m옴 @ 500mA, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 8mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 360nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 9000pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 520W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 섀시 실장 | |
패키지/케이스 | SOT-227-4, miniBLOC | |
공급 장치 패키지 | SOT-227B | |
표준 포장 | 10 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IXFN73N30 | |
관련 링크 | IXFN7, IXFN73N30 데이터 시트, IXYS 에이전트 유통 |
![]() | 0313.600VXP | FUSE GLASS 600MA 250VAC 3AB 3AG | 0313.600VXP.pdf | |
![]() | ABLS2-25.000MHZ-D4YF-T | 25MHz ±30ppm 수정 18pF 40옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US | ABLS2-25.000MHZ-D4YF-T.pdf | |
![]() | CRCW2512130KJNEGHP | RES SMD 130K OHM 5% 1.5W 2512 | CRCW2512130KJNEGHP.pdf | |
![]() | IRFI4212H- | IRFI4212H- IR SMD or Through Hole | IRFI4212H-.pdf | |
![]() | LA73054M | LA73054M SAONY SSOP | LA73054M.pdf | |
![]() | 0201X223K6R3CTLX | 0201X223K6R3CTLX ORIGINAL SMD | 0201X223K6R3CTLX.pdf | |
![]() | RR264M-400(24) | RR264M-400(24) ROHM SOD123 | RR264M-400(24).pdf | |
![]() | BC168B | BC168B MOT/ST CAN3 | BC168B.pdf | |
![]() | U237 | U237 TFK SMD or Through Hole | U237.pdf | |
![]() | 1747386-1 | 1747386-1 AMP/TYCO SMD or Through Hole | 1747386-1.pdf | |
![]() | 215R6MBAEA12S | 215R6MBAEA12S ATI BGA | 215R6MBAEA12S.pdf | |
![]() | QS59910A-5SOI | QS59910A-5SOI QS SMD | QS59910A-5SOI.pdf |