창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IXFN70N60Q2 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IXFN70N60Q2 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | IXYS | |
| 계열 | HiPerFET™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 70A | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 80m옴 @ 35A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 8mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 265nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 7200pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 890W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 섀시 실장 | |
| 패키지/케이스 | SOT-227-4, miniBLOC | |
| 공급 장치 패키지 | SOT-227B | |
| 표준 포장 | 10 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IXFN70N60Q2 | |
| 관련 링크 | IXFN70, IXFN70N60Q2 데이터 시트, IXYS 에이전트 유통 | |
![]() | MP1-3N-1N-1K-00 | MP CONFIGURABLE POWER SUPPLY | MP1-3N-1N-1K-00.pdf | |
![]() | AGPP2D11-4R7NT | AGPP2D11-4R7NT ORIGINAL SMD or Through Hole | AGPP2D11-4R7NT.pdf | |
![]() | K3419 | K3419 ORIGINAL TO-3P | K3419.pdf | |
![]() | RM-CNW-10-8-S-822J | RM-CNW-10-8-S-822J ORIGINAL 1206X5 | RM-CNW-10-8-S-822J.pdf | |
![]() | 79L09L SOT-89 T/R | 79L09L SOT-89 T/R UTC SMD or Through Hole | 79L09L SOT-89 T/R.pdf | |
![]() | CYK512K16SXXAU-70BAI | CYK512K16SXXAU-70BAI CY BGA | CYK512K16SXXAU-70BAI.pdf | |
![]() | CY27C010-90JC | CY27C010-90JC CY PLCC | CY27C010-90JC.pdf | |
![]() | S3P7355XZZ-QW85 | S3P7355XZZ-QW85 SAMSUNG SMD or Through Hole | S3P7355XZZ-QW85.pdf | |
![]() | RDS3/3/4.6-351 | RDS3/3/4.6-351 PHI SMD or Through Hole | RDS3/3/4.6-351.pdf | |
![]() | SLM-125YWT87 | SLM-125YWT87 ROHM SMD() | SLM-125YWT87.pdf | |
![]() | 520-005-G317-FH | 520-005-G317-FH KRNA LED | 520-005-G317-FH.pdf |