창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IXFN420N10T | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IXFN420N10T | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | IXYS | |
계열 | GigaMOS™ HiPerFET™ | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 420A | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 2.3m옴 @ 60A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 8mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 670nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 47000pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 1070W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 섀시 실장 | |
패키지/케이스 | SOT-227-4, miniBLOC | |
공급 장치 패키지 | SOT-227B | |
표준 포장 | 10 | |
다른 이름 | 623426 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IXFN420N10T | |
관련 링크 | IXFN42, IXFN420N10T 데이터 시트, IXYS 에이전트 유통 |
FK26C0G2A392J | 3900pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 방사 0.217" L x 0.138" W(5.50mm x 3.50mm) | FK26C0G2A392J.pdf | ||
2-1462038-1 | Telecom Relay DPDT (2 Form C) Through Hole | 2-1462038-1.pdf | ||
MMF25SFRF100K | RES SMD 100K OHM 1% 1/4W MELF | MMF25SFRF100K.pdf | ||
RT1206WRD0728KL | RES SMD 28K OHM 0.05% 1/4W 1206 | RT1206WRD0728KL.pdf | ||
MAX4479EUA | MAX4479EUA MAXIM MSOP8 | MAX4479EUA.pdf | ||
DW84C16NND03 P5 | DW84C16NND03 P5 ZTJ WBFBP-03B | DW84C16NND03 P5.pdf | ||
isPLS2064V-60LT100 | isPLS2064V-60LT100 LATTICE TQFP | isPLS2064V-60LT100.pdf | ||
10001-2854497-1-26.5VDC | 10001-2854497-1-26.5VDC TELEDYNE SMD or Through Hole | 10001-2854497-1-26.5VDC.pdf | ||
KBA60D | KBA60D TOSHIBA SMD or Through Hole | KBA60D.pdf | ||
SC472BMLRT | SC472BMLRT SEMTECH QFN-24 | SC472BMLRT.pdf |