창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IXFN40N110P | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IXFN40N110P | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | IXYS | |
| 계열 | Polar™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 1100V(1.1kV) | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 34A | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 260m옴 @ 20A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 6.5V @ 1mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 310nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 19000pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 890W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 섀시 실장 | |
| 패키지/케이스 | SOT-227-4, miniBLOC | |
| 공급 장치 패키지 | SOT-227B | |
| 표준 포장 | 10 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IXFN40N110P | |
| 관련 링크 | IXFN40, IXFN40N110P 데이터 시트, IXYS 에이전트 유통 | |
![]() | CLA1108-3-50TR-R | 50nH Unshielded Inductor 80A 0.28 mOhm Nonstandard | CLA1108-3-50TR-R.pdf | |
![]() | CMF5510K600BERE70 | RES 10.6K OHM 1/2W .1% AXIAL | CMF5510K600BERE70.pdf | |
![]() | Y000779K6000T0L | RES 79.6K OHM 0.6W 0.01% RADIAL | Y000779K6000T0L.pdf | |
![]() | IRKT-250-12 | IRKT-250-12 IR SMD or Through Hole | IRKT-250-12.pdf | |
![]() | RNX050200MFKLB | RNX050200MFKLB VISHAY DIP | RNX050200MFKLB.pdf | |
![]() | UDZ 30B | UDZ 30B ROHM SOD-323 | UDZ 30B.pdf | |
![]() | 02CZ3.0-Z(TE85L) | 02CZ3.0-Z(TE85L) TOSHIBA SOT23 | 02CZ3.0-Z(TE85L).pdf | |
![]() | 3907-0-18-80-30-84-10-0 | 3907-0-18-80-30-84-10-0 MLL SMD or Through Hole | 3907-0-18-80-30-84-10-0.pdf | |
![]() | SGM810-SXN3 TR | SGM810-SXN3 TR SG-MICRO SOT23 | SGM810-SXN3 TR.pdf | |
![]() | D27512-250V05 | D27512-250V05 INTEL DIP28 | D27512-250V05.pdf | |
![]() | MSM6237RS | MSM6237RS OKI SMD or Through Hole | MSM6237RS.pdf |