창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IXFN38N80Q2 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IXF(K,N,X)38N80Q2 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | IXYS | |
| 계열 | HiPerFET™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 800V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 38A | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 220m옴 @ 500mA, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4.5V @ 8mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 190nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 8340pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 735W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 섀시 실장 | |
| 패키지/케이스 | SOT-227-4, miniBLOC | |
| 공급 장치 패키지 | SOT-227B | |
| 표준 포장 | 10 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IXFN38N80Q2 | |
| 관련 링크 | IXFN38, IXFN38N80Q2 데이터 시트, IXYS 에이전트 유통 | |
![]() | TFSQ0402C0H1C1R6WT | 1.6pF Thin Film Capacitor 16V 01005 (0402 Metric) 0.016" L x 0.008" W (0.40mm x 0.20mm) | TFSQ0402C0H1C1R6WT.pdf | |
![]() | CS4935AAT | CS4935AAT CYP Call | CS4935AAT.pdf | |
![]() | 1510354 | 1510354 MOT CAN6 | 1510354.pdf | |
![]() | AO3400 SM501GF AB | AO3400 SM501GF AB NTAEFG SMD or Through Hole | AO3400 SM501GF AB.pdf | |
![]() | STI410 | STI410 ORIGINAL TO-3 | STI410.pdf | |
![]() | HH4-1919-01 | HH4-1919-01 CANON DIP-32 | HH4-1919-01.pdf | |
![]() | TNETD42100GJC | TNETD42100GJC TI SMD or Through Hole | TNETD42100GJC.pdf | |
![]() | 0603224J B 10V | 0603224J B 10V ORIGINAL SMD or Through Hole | 0603224J B 10V.pdf | |
![]() | TESVC1E475M12R 25V4.7UF-C | TESVC1E475M12R 25V4.7UF-C NEC SMD or Through Hole | TESVC1E475M12R 25V4.7UF-C.pdf | |
![]() | FQD1116ME/BM-TPV,971 | FQD1116ME/BM-TPV,971 NXP SMD or Through Hole | FQD1116ME/BM-TPV,971.pdf | |
![]() | MI2010SOC | MI2010SOC ORIGINAL PLCC48 | MI2010SOC.pdf | |
![]() | CP2105-F01-GM | CP2105-F01-GM SiliconLabs SMD or Through Hole | CP2105-F01-GM.pdf |