창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IXFN38N100P | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IXFN38N100P | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | IXYS | |
계열 | HiPerFET™, PolarP2™ | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 1000V(1kV) | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 38A | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 210m옴 @ 19A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 6.5V @ 1mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 350nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 24000pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 1000W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 섀시 실장 | |
패키지/케이스 | SOT-227-4, miniBLOC | |
공급 장치 패키지 | SOT-227B | |
표준 포장 | 10 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IXFN38N100P | |
관련 링크 | IXFN38, IXFN38N100P 데이터 시트, IXYS 에이전트 유통 |
MMBTH103EM | MMBTH103EM ON SMD or Through Hole | MMBTH103EM.pdf | ||
9647L0822 | 9647L0822 ORIGINAL SMD8 | 9647L0822.pdf | ||
TCO-980M1 9*11 16.25MHZ | TCO-980M1 9*11 16.25MHZ TOYOCOM SMD or Through Hole | TCO-980M1 9*11 16.25MHZ.pdf | ||
AVNC5S05Q100 | AVNC5S05Q100 AMOTECH 08054K | AVNC5S05Q100.pdf | ||
LD82C55A-5/B | LD82C55A-5/B INTEL DIP | LD82C55A-5/B.pdf | ||
TLSE1005B(T03) | TLSE1005B(T03) TOSHIBA LED | TLSE1005B(T03).pdf | ||
V-2G | V-2G KSS SMD or Through Hole | V-2G.pdf | ||
G6A-2D34P-ST-US-DC24 | G6A-2D34P-ST-US-DC24 OMRON SMD or Through Hole | G6A-2D34P-ST-US-DC24.pdf | ||
2220J0500225MXT | 2220J0500225MXT SYFER SMD | 2220J0500225MXT.pdf | ||
LH0044H | LH0044H NSC CAN8 | LH0044H.pdf | ||
BFR540,235 | BFR540,235 NXP SOT23 | BFR540,235.pdf | ||
BAJ0CC0FPS | BAJ0CC0FPS ROHM SMD or Through Hole | BAJ0CC0FPS.pdf |