창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IXFN20N120P | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IXFN20N120P | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | IXYS | |
계열 | Polar™ | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 1200V(1.2kV) | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 20A | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 570m옴 @ 10A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 6.5V @ 1mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 193nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 11100pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 595W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 섀시 실장 | |
패키지/케이스 | SOT-227-4, miniBLOC | |
공급 장치 패키지 | SOT-227B | |
표준 포장 | 10 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IXFN20N120P | |
관련 링크 | IXFN20, IXFN20N120P 데이터 시트, IXYS 에이전트 유통 |
UCZ1V561MNQ1MS | 560µF 35V Aluminum Capacitors Radial, Can - SMD 60 mOhm @ 100kHz 3000 Hrs @ 125°C | UCZ1V561MNQ1MS.pdf | ||
D829C20C0HL65J5R | 8.2pF 500V 세라믹 커패시터 C0H 방사형, 디스크 0.197" Dia(5.00mm) | D829C20C0HL65J5R.pdf | ||
TNPW251275K0BEEG | RES SMD 75K OHM 0.1% 1/2W 2512 | TNPW251275K0BEEG.pdf | ||
BZT52B14 | BZT52B14 PANJIT SMD | BZT52B14.pdf | ||
DS2504ABTA75ZZENHZ | DS2504ABTA75ZZENHZ ELPIDA TSOP54 | DS2504ABTA75ZZENHZ.pdf | ||
TA8220Q | TA8220Q ORIGINAL ZIP | TA8220Q.pdf | ||
LM109H/883QC | LM109H/883QC ORIGINAL SMD or Through Hole | LM109H/883QC.pdf | ||
CY7C109-25DMB | CY7C109-25DMB CYPRESS DIP | CY7C109-25DMB.pdf | ||
TS200100 | TS200100 HitachiSemiconduc SMD or Through Hole | TS200100.pdf | ||
SB82371FBSZ967 | SB82371FBSZ967 INT PQFP | SB82371FBSZ967.pdf | ||
MN102L25GDK | MN102L25GDK PAN QFP | MN102L25GDK.pdf |