창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IXFK44N80Q3 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IXFx44N80Q3 | |
| 주요제품 | Q3-Class HiPerFET™ Power MOSFETs | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | IXYS | |
| 계열 | HiPerFET™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 800V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 44A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 190m옴 @ 22A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 6.5V @ 8mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 185nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 9840pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 1250W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-264-3, TO-264AA | |
| 공급 장치 패키지 | TO-264AA(IXFK) | |
| 표준 포장 | 25 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IXFK44N80Q3 | |
| 관련 링크 | IXFK44, IXFK44N80Q3 데이터 시트, IXYS 에이전트 유통 | |
![]() | 7V-18.432MAHJ-T | 18.432MHz ±30ppm 수정 18pF 60옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 7V-18.432MAHJ-T.pdf | |
![]() | SDR0805-331KL | 330µH Unshielded Wirewound Inductor 400mA 1.26 Ohm Max Nonstandard | SDR0805-331KL.pdf | |
![]() | ERJ-L12UF69MU | RES SMD 0.069 OHM 1% 1/2W 1812 | ERJ-L12UF69MU.pdf | |
![]() | 80Z011E | 80Z011E ORIGINAL DIP | 80Z011E.pdf | |
![]() | ST11908-502 | ST11908-502 ST SOP20 | ST11908-502.pdf | |
![]() | 0603N300J500NT0 | 0603N300J500NT0 WISN SMD or Through Hole | 0603N300J500NT0.pdf | |
![]() | PA1A5VJ | PA1A5VJ MATSUSHITA SMD or Through Hole | PA1A5VJ.pdf | |
![]() | BAV99 E6706 | BAV99 E6706 INF SMD or Through Hole | BAV99 E6706.pdf | |
![]() | KM62556DLTG-5L | KM62556DLTG-5L SAMSUNG SMD or Through Hole | KM62556DLTG-5L.pdf | |
![]() | PM100CES060 | PM100CES060 MITSUBISHI SMD or Through Hole | PM100CES060.pdf |