창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IXFK120N25P | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IXF(K,X)120N25P | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | IXYS | |
| 계열 | PolarHT™ HiPerFET™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 250V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 120A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 24m옴 @ 60A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 4mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 185nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 8000pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 700W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-264-3, TO-264AA | |
| 공급 장치 패키지 | TO-264AA(IXFK) | |
| 표준 포장 | 25 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IXFK120N25P | |
| 관련 링크 | IXFK12, IXFK120N25P 데이터 시트, IXYS 에이전트 유통 | |
![]() | ABM81-19.200MHZ-B4Y-T3 | 19.2MHz ±30ppm 수정 18pF 70옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | ABM81-19.200MHZ-B4Y-T3.pdf | |
![]() | MCP100JR-5K6 | RES SMD 5.6K OHM 5% 1W MELF | MCP100JR-5K6.pdf | |
![]() | CMF60511R00FHEB | RES 511 OHM 1W 1% AXIAL | CMF60511R00FHEB.pdf | |
![]() | CMF602M0480BER6 | RES 2.048M OHM 1W 0.1% AXIAL | CMF602M0480BER6.pdf | |
![]() | 1008CS-180XKBC-18N | 1008CS-180XKBC-18N ORIGINAL SMD or Through Hole | 1008CS-180XKBC-18N.pdf | |
![]() | 47UF 250V | 47UF 250V ORIGINAL SMD or Through Hole | 47UF 250V.pdf | |
![]() | QTLP670CSTR(Q) | QTLP670CSTR(Q) QTOPTOELECTRONICS SMD or Through Hole | QTLP670CSTR(Q).pdf | |
![]() | RF1206-10K | RF1206-10K Uniohm 1206 | RF1206-10K.pdf | |
![]() | R6742-43P | R6742-43P ROCKWELL PLCC84 | R6742-43P.pdf | |
![]() | DF16A(2.0)-50DP-0.5V | DF16A(2.0)-50DP-0.5V HRS SMD or Through Hole | DF16A(2.0)-50DP-0.5V.pdf | |
![]() | BC808-16WE6327 | BC808-16WE6327 INFINEON SMD | BC808-16WE6327.pdf | |
![]() | XB/423 | XB/423 TOSHIBA SOT-423 | XB/423.pdf |