창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IXFJ26N50P3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IXFJ26N50P3 Preliminary | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | IXYS | |
계열 | HiPerFET™, Polar3™ | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 500V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 14A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 265m옴 @ 13A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 4mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 42nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2220pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 180W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-247-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-247 | |
표준 포장 | 30 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IXFJ26N50P3 | |
관련 링크 | IXFJ26, IXFJ26N50P3 데이터 시트, IXYS 에이전트 유통 |
![]() | RT0805WRC07232RL | RES SMD 232 OHM 0.05% 1/8W 0805 | RT0805WRC07232RL.pdf | |
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![]() | NLE220M25V6.3x7F | NLE220M25V6.3x7F NIC DIP | NLE220M25V6.3x7F.pdf | |
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![]() | BB555-02V TEL:82766440 | BB555-02V TEL:82766440 INF SMD or Through Hole | BB555-02V TEL:82766440.pdf | |
![]() | E28F016SV65-5.0V/75-3.3V | E28F016SV65-5.0V/75-3.3V INTEL SOP | E28F016SV65-5.0V/75-3.3V.pdf | |
![]() | PST591DMT R | PST591DMT R MITSUMI SMD or Through Hole | PST591DMT R.pdf | |
![]() | LP3876ET-3.3/NOPB | LP3876ET-3.3/NOPB NS SMD or Through Hole | LP3876ET-3.3/NOPB.pdf | |
![]() | MLD-S0130 | MLD-S0130 ORIGINAL SMD or Through Hole | MLD-S0130.pdf | |
![]() | 7916N-3R9N | 7916N-3R9N SAGAMI 7916N | 7916N-3R9N.pdf |