창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IXFH6N100Q | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IXF(H,T)6N100Q | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | IXYS | |
계열 | HiPerFET™ | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 1000V(1kV) | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 6A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 1.9옴 @ 3A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4.5V @ 2.5mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 48nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2200pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 180W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-247-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-247AD(IXFH) | |
표준 포장 | 30 | |
다른 이름 | 478547 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IXFH6N100Q | |
관련 링크 | IXFH6N, IXFH6N100Q 데이터 시트, IXYS 에이전트 유통 |
S13G470RFJB | S13G470RFJB DRALO SMD or Through Hole | S13G470RFJB.pdf | ||
BGA2712,115 | BGA2712,115 ORIGINAL SOT363 | BGA2712,115.pdf | ||
RM25664BA1339.8FR | RM25664BA1339.8FR Rendition SMD or Through Hole | RM25664BA1339.8FR.pdf | ||
UM-4/45E1A26F/45MH | UM-4/45E1A26F/45MH TOYOCOM SMD or Through Hole | UM-4/45E1A26F/45MH.pdf | ||
85853-184LF | 85853-184LF FCI con | 85853-184LF.pdf | ||
07TJXIP | 07TJXIP ORIGINAL LLP24 | 07TJXIP.pdf | ||
AT68166F-YS18-E | AT68166F-YS18-E ATMEL MQFP68 | AT68166F-YS18-E.pdf | ||
12062A391J4T2A | 12062A391J4T2A AVX SMD | 12062A391J4T2A.pdf | ||
C2012CR22J | C2012CR22J SAGAMI SMD or Through Hole | C2012CR22J.pdf | ||
AP4569GH | AP4569GH AP TO-252-4L | AP4569GH.pdf | ||
APS-4R0ELL102MJC5S | APS-4R0ELL102MJC5S NIPPON DIP | APS-4R0ELL102MJC5S.pdf | ||
BZX399C12(9340 5548 80115) | BZX399C12(9340 5548 80115) PHI SOD-323 | BZX399C12(9340 5548 80115).pdf |