창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IXFH44N50Q3 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IXFx44N50Q3 | |
| 주요제품 | Q3-Class HiPerFET™ Power MOSFETs | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | IXYS | |
| 계열 | HiPerFET™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 500V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 44A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 140m옴 @ 22A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 6.5V @ 4mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 93nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 4800pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 830W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-247-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-247AD(IXFH) | |
| 표준 포장 | 30 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IXFH44N50Q3 | |
| 관련 링크 | IXFH44, IXFH44N50Q3 데이터 시트, IXYS 에이전트 유통 | |
![]() | RHE5G1H122J1A2A03B | 1200pF 50V 세라믹 커패시터 X8G 방사 0.157" L x 0.098" W(4.00mm x 2.50mm) | RHE5G1H122J1A2A03B.pdf | |
![]() | PCFM12JT2R00 | RES CARBON 2 OHM 1/2W 5% | PCFM12JT2R00.pdf | |
![]() | CMF50280R00BEEB | RES 280 OHM 1/4W 0.1% AXIAL | CMF50280R00BEEB.pdf | |
![]() | 153533-154 | 153533-154 HIT QFP | 153533-154.pdf | |
![]() | 4017BCN | 4017BCN NS DIP | 4017BCN.pdf | |
![]() | G5A-237P-12VDC | G5A-237P-12VDC OMRON SMD or Through Hole | G5A-237P-12VDC.pdf | |
![]() | TZC03Z06BA110T00 | TZC03Z06BA110T00 MURATA 3X4 | TZC03Z06BA110T00.pdf | |
![]() | AIC1722A-25CXT(AH25) | AIC1722A-25CXT(AH25) AIC SOT-89 | AIC1722A-25CXT(AH25).pdf | |
![]() | LA3-16V223MS35 | LA3-16V223MS35 ELNA DIP | LA3-16V223MS35.pdf | |
![]() | BCM3431KMLG-P11 | BCM3431KMLG-P11 BROADCOM QFN | BCM3431KMLG-P11.pdf | |
![]() | EVK32-055 | EVK32-055 FUJI SMD or Through Hole | EVK32-055.pdf | |
![]() | LTE6SG-AABB-35-1-Z | LTE6SG-AABB-35-1-Z OSRAM PLCC4 | LTE6SG-AABB-35-1-Z.pdf |