창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IXFH28N50Q | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IXF(H,T)28N50Q | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | IXYS | |
| 계열 | HiPerFET™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 500V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 28A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 200m옴 @ 14A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4.5V @ 4mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 94nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3000pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 375W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-247-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-247AD(IXFH) | |
| 표준 포장 | 30 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IXFH28N50Q | |
| 관련 링크 | IXFH28, IXFH28N50Q 데이터 시트, IXYS 에이전트 유통 | |
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![]() | SIT9001AI-83-XXXX-000.FP000 | 1MHz ~ 200MHz LVCMOS MEMS (Silicon) Programmable Oscillator Surface Mount 1.8V, 2.5 V ~ 3.3 V 34mA Enable/Disable, Standby | SIT9001AI-83-XXXX-000.FP000.pdf | |
![]() | SE30AFBHM3/6A | DIODE GEN PURP 100V 3A DO221AC | SE30AFBHM3/6A.pdf | |
![]() | MAX2172ETL+TW | RF IC Tuner General Purpose 87MHz ~ 108MHz, 168MHz ~ 240MHz, 1.452GHz ~ 1.492GHz Direct Conversion 40-TQFN (6x6) | MAX2172ETL+TW.pdf | |
![]() | JRX-31M-205 | JRX-31M-205 ORIGINAL SMD or Through Hole | JRX-31M-205.pdf | |
![]() | TC4S01F-TE85L | TC4S01F-TE85L TOSHIBA SOT23-5 | TC4S01F-TE85L.pdf | |
![]() | C4SMF-AJS-CT0V0251 | C4SMF-AJS-CT0V0251 CREE SMD or Through Hole | C4SMF-AJS-CT0V0251.pdf | |
![]() | M68356 | M68356 ORIGINAL SMD or Through Hole | M68356.pdf | |
![]() | PT2124-F8N | PT2124-F8N PTC DIP | PT2124-F8N.pdf | |
![]() | NL453232T-1R0J | NL453232T-1R0J TDK SMD or Through Hole | NL453232T-1R0J.pdf |