창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IXFH24N90P | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IXF(H,T)24N90P | |
주요제품 | 900 V Polar HiPerFET™ Power MOSFETs | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | IXYS | |
계열 | HiPerFET™, PolarP2™ | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 900V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 24A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 420m옴 @ 12A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 6.5V @ 1mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 130nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 7200pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 660W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-247-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-247AD(IXFH) | |
표준 포장 | 30 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IXFH24N90P | |
관련 링크 | IXFH24, IXFH24N90P 데이터 시트, IXYS 에이전트 유통 |
![]() | GRM21A7U2E152JW31D | 1500pF 250V 세라믹 커패시터 U2J 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | GRM21A7U2E152JW31D.pdf | |
![]() | CDV30FK391GO3 | MICA | CDV30FK391GO3.pdf | |
![]() | RNF14FTD32R4 | RES 32.4 OHM 1/4W 1% AXIAL | RNF14FTD32R4.pdf | |
![]() | 315-0437-000V1.17 | 315-0437-000V1.17 MICROCHI SOP18 | 315-0437-000V1.17.pdf | |
![]() | 0SOD-323 10N 50V | 0SOD-323 10N 50V PHILIPS SOD-323 | 0SOD-323 10N 50V.pdf | |
![]() | TLE-330T16C | TLE-330T16C LITEON DIP | TLE-330T16C.pdf | |
![]() | SD4843P | SD4843P SL DIP | SD4843P.pdf | |
![]() | S977T(E2)-GS08 | S977T(E2)-GS08 VISHAY SOT-23 | S977T(E2)-GS08.pdf | |
![]() | HD6433713D66H | HD6433713D66H HITACHI QFP | HD6433713D66H.pdf | |
![]() | K4S561632J-UI75T00 | K4S561632J-UI75T00 SAMSUNG SMD or Through Hole | K4S561632J-UI75T00.pdf | |
![]() | AZ5Y | AZ5Y ORIGINAL DIP | AZ5Y.pdf | |
![]() | C1O6M | C1O6M ON TO-126 | C1O6M.pdf |