창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IXFH17N80Q | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IXF(H,T)17N80Q | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | IXYS | |
| 계열 | HiPerFET™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 800V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 17A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 600m옴 @ 500mA, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4.5V @ 4mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 95nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3600pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 400W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-247-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-247AD(IXFH) | |
| 표준 포장 | 30 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IXFH17N80Q | |
| 관련 링크 | IXFH17, IXFH17N80Q 데이터 시트, IXYS 에이전트 유통 | |
![]() | POE13W3VERS-R | TRANSFRMR 100UH 13W 1.7A 12P SMD | POE13W3VERS-R.pdf | |
![]() | Y0058887R000B0L | RES 887 OHM 0.3W 0.1% AXIAL | Y0058887R000B0L.pdf | |
![]() | IDT7007L55JI | IDT7007L55JI IDT PLCC-68 | IDT7007L55JI.pdf | |
![]() | MJD32C-1 | MJD32C-1 MOT SMD or Through Hole | MJD32C-1.pdf | |
![]() | LGY870-J2M1-1 | LGY870-J2M1-1 OSRAM ROHS | LGY870-J2M1-1.pdf | |
![]() | 54151/BEBJC | 54151/BEBJC MOT DIP | 54151/BEBJC.pdf | |
![]() | ZHX1810MV115TH2111TR | ZHX1810MV115TH2111TR ZILOG SOP | ZHX1810MV115TH2111TR.pdf | |
![]() | 10151093-102 | 10151093-102 AMIS QFP | 10151093-102.pdf | |
![]() | FAGD16578-32BA | FAGD16578-32BA Intel SMD or Through Hole | FAGD16578-32BA.pdf | |
![]() | C052K104M5X5CA | C052K104M5X5CA KEMET DIP | C052K104M5X5CA.pdf | |
![]() | DEHC32H681K | DEHC32H681K MURATA DIP | DEHC32H681K.pdf |