창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IXFE44N50QD2 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IXFE(44,48)N50QD2/3 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | IXYS | |
| 계열 | HiPerFET™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 500V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 39A | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 120m옴 @ 22A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 4mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 190nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 8000pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 400W | |
| 작동 온도 | -40°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 섀시 실장 | |
| 패키지/케이스 | SOT-227-4, miniBLOC | |
| 공급 장치 패키지 | SOT-227B | |
| 표준 포장 | 10 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IXFE44N50QD2 | |
| 관련 링크 | IXFE44N, IXFE44N50QD2 데이터 시트, IXYS 에이전트 유통 | |
![]() | 416F36025ATT | 36MHz ±20ppm 수정 6pF 200옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F36025ATT.pdf | |
![]() | 1812R-330J | 33nH Unshielded Inductor 1A 150 mOhm Max 2-SMD | 1812R-330J.pdf | |
![]() | NL252018T-R56-PF | NL252018T-R56-PF TDK 2520 | NL252018T-R56-PF.pdf | |
![]() | EP220PC-12 | EP220PC-12 ALTERA DIP20 | EP220PC-12.pdf | |
![]() | NFM41CC471R2A3D | NFM41CC471R2A3D MURATA SMD | NFM41CC471R2A3D.pdf | |
![]() | BBH222A | BBH222A ORIGINAL SMD | BBH222A.pdf | |
![]() | 18252A102KAT2A | 18252A102KAT2A AVX SMD | 18252A102KAT2A.pdf | |
![]() | IDT70V9279L7PRF | IDT70V9279L7PRF IDT QFP | IDT70V9279L7PRF.pdf | |
![]() | 3210D | 3210D SI-ZE QFN | 3210D.pdf | |
![]() | LXV80VB33RM8X12LL | LXV80VB33RM8X12LL NIPPON DIP | LXV80VB33RM8X12LL.pdf | |
![]() | PDR | PDR PL SMD or Through Hole | PDR.pdf |