창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IXFA4N100Q | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IXF(A,P)4N100Q | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | IXYS | |
| 계열 | HiPerFET™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 1000V(1kV) | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 4A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 3옴 @ 2A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4.5V @ 1.5mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 39nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1050pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 150W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
| 공급 장치 패키지 | TO-263(IXFA) | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IXFA4N100Q | |
| 관련 링크 | IXFA4N, IXFA4N100Q 데이터 시트, IXYS 에이전트 유통 | |
![]() | 4114R-1-331LF | RES ARRAY 7 RES 330 OHM 14DIP | 4114R-1-331LF.pdf | |
![]() | TMCMBOJ107MTRF | TMCMBOJ107MTRF HITACHI SMD | TMCMBOJ107MTRF.pdf | |
![]() | 38573 | 38573 ORIGINAL DIP | 38573.pdf | |
![]() | M1FL20U TEL:82766440 | M1FL20U TEL:82766440 ORIGINAL SOD-123 | M1FL20U TEL:82766440.pdf | |
![]() | M5M44265CJ-7S | M5M44265CJ-7S ORIGINAL SOJ | M5M44265CJ-7S.pdf | |
![]() | CMD0038 | CMD0038 ORIGINAL TO-220 | CMD0038.pdf | |
![]() | PC16SH10C-02974 | PC16SH10C-02974 PHR SMD or Through Hole | PC16SH10C-02974.pdf | |
![]() | MMZ1608R301AT00 | MMZ1608R301AT00 TDK SMD or Through Hole | MMZ1608R301AT00.pdf | |
![]() | S5688G(Q) | S5688G(Q) TOSHIBA SMD or Through Hole | S5688G(Q).pdf | |
![]() | DRAN30-12 | DRAN30-12 ORIGINAL SMD or Through Hole | DRAN30-12.pdf | |
![]() | RN2607 / YH | RN2607 / YH TOSHIBA SOT-163 | RN2607 / YH.pdf | |
![]() | AIC1952-EKGG6TTR | AIC1952-EKGG6TTR AIC SOT23-6 | AIC1952-EKGG6TTR.pdf |