창고: HONGKONG
								날짜 코드: 최신 Date Code
								제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IXFA22N65X2 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IXF(A,H,P)22N65X2 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | IXYS | |
| 계열 | HiPerFET™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 650V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 22A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 160m옴 @ 11A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5.5V @ 1.5mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 38nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2310pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 390W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
| 공급 장치 패키지 | TO-263 | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IXFA22N65X2 | |
| 관련 링크 | IXFA22, IXFA22N65X2 데이터 시트, IXYS 에이전트 유통 | |
![]()  | 416F38412IDR | 38.4MHz ±10ppm 수정 18pF 200옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F38412IDR.pdf | |
![]()  | 1210R-123H | 12µH Unshielded Inductor 272mA 2.5 Ohm Max 2-SMD | 1210R-123H.pdf | |
![]()  | CRGV2512F665K | RES SMD 665K OHM 1% 1W 2512 | CRGV2512F665K.pdf | |
![]()  | ESRE500ELLR047MD5D | ESRE500ELLR047MD5D NIPPON DIP | ESRE500ELLR047MD5D.pdf | |
![]()  | G6B-2014-KE-24V | G6B-2014-KE-24V OMRON SMD or Through Hole | G6B-2014-KE-24V.pdf | |
![]()  | PTZ3.9B TE25 | PTZ3.9B TE25 ROHM PMDSSOD-106 | PTZ3.9B TE25.pdf | |
![]()  | BYM36B | BYM36B ORIGINAL SOD64 | BYM36B .pdf | |
![]()  | HW109A-D/HW-109A | HW109A-D/HW-109A ORIGINAL SOP-4 | HW109A-D/HW-109A.pdf | |
![]()  | APT35GF120BN | APT35GF120BN APT TO-247 | APT35GF120BN.pdf | |
![]()  | IDTQS3VH253PA | IDTQS3VH253PA IDT SSOP16 | IDTQS3VH253PA.pdf | |
![]()  | AS7C1024B-15TCTR | AS7C1024B-15TCTR AS SOJ | AS7C1024B-15TCTR.pdf |