창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IXFA20N85XHV | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IXFx20N85X | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | IXYS | |
계열 | HiPerFET™ | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 850V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 20A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 330m옴 @ 500mA, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5.5V @ 2.5mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 63nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1660pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 540W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
공급 장치 패키지 | TO-263(D2Pak-HV) | |
표준 포장 | 1 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IXFA20N85XHV | |
관련 링크 | IXFA20N, IXFA20N85XHV 데이터 시트, IXYS 에이전트 유통 |
![]() | K560K10C0GH5UL2 | 56pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 방사 0.142" L x 0.091" W(3.60mm x 2.30mm) | K560K10C0GH5UL2.pdf | |
![]() | SG-636PCE 22.1180MC0:ROHS | 22.118MHz CMOS XO (Standard) Oscillator Surface Mount 3.3V 9mA Enable/Disable | SG-636PCE 22.1180MC0:ROHS.pdf | |
![]() | HAL210TQ-K | IC HALL EFFECT SWITCH UNI SOT89 | HAL210TQ-K.pdf | |
![]() | N74F00D623ROHS | N74F00D623ROHS NXP SMD or Through Hole | N74F00D623ROHS.pdf | |
![]() | TLC72CN | TLC72CN ST DIP-8 | TLC72CN.pdf | |
![]() | ADS8361I | ADS8361I TI/BB SSOP-24 | ADS8361I.pdf | |
![]() | 57C43C-55T | 57C43C-55T WSI CDIP-24 | 57C43C-55T.pdf | |
![]() | CY7C3300B-56LFXC | CY7C3300B-56LFXC CY QFN | CY7C3300B-56LFXC.pdf | |
![]() | LGE81C2012-HK006 | LGE81C2012-HK006 LGEDVD QFP | LGE81C2012-HK006.pdf | |
![]() | LY4SN | LY4SN STON SMD or Through Hole | LY4SN.pdf | |
![]() | DG48D1-O(M)III | DG48D1-O(M)III DEC SMD or Through Hole | DG48D1-O(M)III.pdf | |
![]() | B909 | B909 MIT TO-92F | B909.pdf |