창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-ISO7230CDWRG4 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 3(168시간) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | ISO7230-31C/M | |
| 제품 교육 모듈 | Circuit Isolation Techniques | |
| PCN 설계/사양 | 16DW Datasheet Update 17/Sep/2013 | |
| 제조업체 제품 페이지 | ISO7230CDWRG4 Specifications | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 종류 | 절연기 | |
| 제품군 | 디지털 분리기 | |
| 제조업체 | Texas Instruments | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | * | |
| 기술 | 정전 용량 결합 | |
| 유형 | 범용 | |
| 분리형 전력 | 없음 | |
| 채널 개수 | 3 | |
| 입력 - 사이드 1/사이드 2 | 3/0 | |
| 채널 유형 | 단방향 | |
| 전압 - 분리 | 2500Vrms | |
| 공통 모드 일시 내성(최소) | 25kV/µs | |
| 데이터 속도 | 25Mbps | |
| 전파 지연 tpLH/tpHL(최대) | 42ns, 42ns | |
| 펄스 폭 왜곡(최대) | 2.5ns | |
| 상승/하강 시간(통상) | 2ns, 2ns | |
| 전압 - 공급 | 3.15 V ~ 5.5 V | |
| 작동 온도 | -40°C ~ 125°C | |
| 패키지/케이스 | 16-SOIC(0.295", 7.50mm 폭) | |
| 공급 장치 패키지 | 16-SOIC | |
| 표준 포장 | 2,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | ISO7230CDWRG4 | |
| 관련 링크 | ISO7230, ISO7230CDWRG4 데이터 시트, Texas Instruments 에이전트 유통 | |
| T55T336M6R3C0200 | 33µF Molded Tantalum - Polymer Capacitors 6.3V 1411 (3528 Metric) 200 mOhm 0.138" L x 0.110" W (3.50mm x 2.80mm) | T55T336M6R3C0200.pdf | ||
![]() | 1N5915A G | DIODE ZENER 3.9V 1.25W DO204AL | 1N5915A G.pdf | |
![]() | ATFC-0201HQ-1N3B-T | 1.3nH Unshielded Thin Film Inductor 600mA 150 mOhm Max 0201 (0603 Metric) | ATFC-0201HQ-1N3B-T.pdf | |
![]() | E3FB-RP22 | BRASSM18,CORETR0.5M,AX,PNP,CON | E3FB-RP22.pdf | |
![]() | T494C106K020AS | T494C106K020AS KEMET SMD or Through Hole | T494C106K020AS.pdf | |
![]() | CXD1257N | CXD1257N SONY SSOP | CXD1257N.pdf | |
![]() | SGM3699YS16/TR 3699 | SGM3699YS16/TR 3699 ORIGINAL SMD or Through Hole | SGM3699YS16/TR 3699.pdf | |
![]() | NJM592D8 | NJM592D8 JRC DIP8 | NJM592D8.pdf | |
![]() | SN74AS109AN * | SN74AS109AN * TI SMD or Through Hole | SN74AS109AN *.pdf |