창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IRLZ14STRLPBF | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IRLZ14S,L, SiHLZ14S,L | |
| 비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Vishay Siliconix | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 10A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 200m옴 @ 6A, 5V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 8.4nC(5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 400pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 3.7W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
| 공급 장치 패키지 | D2PAK | |
| 표준 포장 | 800 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IRLZ14STRLPBF | |
| 관련 링크 | IRLZ14S, IRLZ14STRLPBF 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
![]() | HS150 1K J | RES CHAS MNT 1K OHM 5% 150W | HS150 1K J.pdf | |
![]() | CRCW0603430RJNEAHP | RES SMD 430 OHM 5% 1/4W 0603 | CRCW0603430RJNEAHP.pdf | |
![]() | F4100-333 | F4100-333 FX SMD | F4100-333.pdf | |
![]() | ECJ3VB1H104J | ECJ3VB1H104J PANA SMD or Through Hole | ECJ3VB1H104J.pdf | |
![]() | FR1F-TR | FR1F-TR PANJIT DO-214AA | FR1F-TR.pdf | |
![]() | LM2931D2T | LM2931D2T NS TO-220-5 | LM2931D2T.pdf | |
![]() | NP36P04SDG-E1 | NP36P04SDG-E1 NEC SMD or Through Hole | NP36P04SDG-E1.pdf | |
![]() | SES7VD523-2U | SES7VD523-2U Semitel SOD-523 | SES7VD523-2U.pdf | |
![]() | C1608X5R1H335KT | C1608X5R1H335KT TDK SMD or Through Hole | C1608X5R1H335KT.pdf | |
![]() | PI5C16861 | PI5C16861 MIC SOP | PI5C16861.pdf | |
![]() | BZX284-C75 | BZX284-C75 PHILIPS SOD110 | BZX284-C75.pdf | |
![]() | M378B5273FH0-CH9 | M378B5273FH0-CH9 Samsung SMD or Through Hole | M378B5273FH0-CH9.pdf |