창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IRLS3034TRLPBF | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IRLS(L)3034PBF | |
| 제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) Discrete Power MOSFETs 40V and Below | |
| PCN 설계/사양 | Copper Plating Update 31/Aug/2015 Material Chg 24/Nov/2015 | |
| PCN 조립/원산지 | Mosfet Backend Wafer Processing 23/Oct/2013 | |
| PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
| PCN 기타 | Multiple Changes 06/Oct/2014 | |
| 카탈로그 페이지 | 1517 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | HEXFET® | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 40V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 195A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 1.7m옴 @ 195A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 162nC(4.5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 10315pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 375W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
| 공급 장치 패키지 | D2PAK | |
| 표준 포장 | 800 | |
| 다른 이름 | IRLS3034TRLPBFTR SP001568666 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IRLS3034TRLPBF | |
| 관련 링크 | IRLS3034, IRLS3034TRLPBF 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
![]() | 06033A4R7JAT2A | 4.7pF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.032" W(1.60mm x 0.81mm) | 06033A4R7JAT2A.pdf | |
![]() | ES1ME-TP | DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214AC | ES1ME-TP.pdf | |
![]() | BA151M | BA151M bencent SMD or Through Hole | BA151M.pdf | |
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![]() | MW1160-3 | MW1160-3 AEL SMA | MW1160-3.pdf | |
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![]() | LT117AH/883C | LT117AH/883C LT CAN | LT117AH/883C.pdf | |
![]() | RJP3047ADPK-80 T2 | RJP3047ADPK-80 T2 MITSUBISHI SMD or Through Hole | RJP3047ADPK-80 T2.pdf | |
![]() | HD61202U | HD61202U ORIGINAL SMD or Through Hole | HD61202U.pdf | |
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