창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IRLR8729TRLPBF | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IRL(R,U)8729PbF | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) Discrete Power MOSFETs 40V and Below | |
PCN 조립/원산지 | Backend Wafer Transfer 23/Oct/2013 Warehouse Transfer 29/Jul/2015 | |
PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | HEXFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 새 설계에 권장하지 않음(NRND) | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 58A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 8,9m옴 @ 25A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.35V @ 25µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 16nC(4.5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1350pF @ 15V | |
전력 - 최대 | 55W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
공급 장치 패키지 | D-Pak | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | SP001552874 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IRLR8729TRLPBF | |
관련 링크 | IRLR8729, IRLR8729TRLPBF 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
M550B108K050AS | 1000µF Hermetically Sealed Tantalum - Polymer Capacitors 50V M55 Module 20 mOhm 2.051" L x 1.992" W (52.10mm x 50.60mm) | M550B108K050AS.pdf | ||
SR6K20M105X | VARISTOR 33V 200A RADIAL | SR6K20M105X.pdf | ||
CMF554K3000BEEB | RES 4.3K OHM 1/2W 0.1% AXIAL | CMF554K3000BEEB.pdf | ||
NL2-S 2M | SENSOR TOUCH MOD 1 INPUT 5MS | NL2-S 2M.pdf | ||
FS472LF | FS472LF FOCUS BGA | FS472LF.pdf | ||
2N1206 | 2N1206 MOT/HAR CAN | 2N1206.pdf | ||
F1C154WKT-12 | F1C154WKT-12 DIGITECH QFP1010-44 | F1C154WKT-12.pdf | ||
D1499. | D1499. ROHM TO-220F | D1499..pdf | ||
7072M | 7072M SK ZIP | 7072M.pdf | ||
2SB647CTZ-E | 2SB647CTZ-E RENESAS SMD or Through Hole | 2SB647CTZ-E.pdf | ||
HXC0999-01-020 | HXC0999-01-020 ORIGINAL PB FREE | HXC0999-01-020.pdf | ||
881112-10592 | 881112-10592 ORIGINAL QFP | 881112-10592.pdf |