창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IRLR3915PBF | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IRLR3915PbF, IRLU3915PbF | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) | |
설계 리소스 | IRLR3915PBF Spice Model | |
PCN 조립/원산지 | Warehouse Transfer 29/Jul/2015 | |
PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
PCN 부품 상태 변경 | Pkg Type Disc 16/May/2016 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | HEXFET® | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 주문 불가 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 55V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 30A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 14m옴 @ 30A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 92nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1870pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 120W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
공급 장치 패키지 | D-Pak | |
표준 포장 | 75 | |
다른 이름 | *IRLR3915PBF SP001558466 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IRLR3915PBF | |
관련 링크 | IRLR39, IRLR3915PBF 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
RC0603FR-076K34L | RES SMD 6.34K OHM 1% 1/10W 0603 | RC0603FR-076K34L.pdf | ||
SFR16S0003909JA500 | RES 39 OHM 1/2W 5% AXIAL | SFR16S0003909JA500.pdf | ||
74HC373E | 74HC373E SS DIP | 74HC373E.pdf | ||
BAQT | BAQT ORIGINAL SMD or Through Hole | BAQT.pdf | ||
GS88036BGT-150I | GS88036BGT-150I GSI QFP | GS88036BGT-150I.pdf | ||
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69615-45/001 | 69615-45/001 SCG SMD or Through Hole | 69615-45/001.pdf | ||
MA161-30M | MA161-30M ORIGINAL DIP | MA161-30M.pdf | ||
BLRNK | BLRNK ORIGINAL QFN | BLRNK.pdf | ||
GA4F3P-T1(AQ1) | GA4F3P-T1(AQ1) NEC SOT323 | GA4F3P-T1(AQ1).pdf |