창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IRLR3636TRLPBF | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IRL(R,U)3636PBF | |
| 제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) | |
| PCN 조립/원산지 | Mosfet Backend Wafer Processing 23/Oct/2013 | |
| PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | HEXFET® | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 50A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 6.8m옴 @ 50A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.5V @ 100µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 49nC(4.5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3779pF @ 50V | |
| 전력 - 최대 | 143W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
| 공급 장치 패키지 | D-Pak | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | SP001569134 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IRLR3636TRLPBF | |
| 관련 링크 | IRLR3636, IRLR3636TRLPBF 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
![]() | ADA01-C | ADA01-C ADA SOP-8 | ADA01-C.pdf | |
![]() | SRM5819 | SRM5819 DIODES SMD or Through Hole | SRM5819.pdf | |
![]() | 74AHC16541DGVR | 74AHC16541DGVR TI 74AHC16541DGVR | 74AHC16541DGVR.pdf | |
![]() | 12062B106M5BB0D | 12062B106M5BB0D YAGEO SMD | 12062B106M5BB0D.pdf | |
![]() | MC33201D | MC33201D ON SOP-8 | MC33201D.pdf | |
![]() | 3SK140 | 3SK140 TOSHIBA SOT-143 | 3SK140.pdf | |
![]() | M29W400FB-55N3 | M29W400FB-55N3 ORIGINAL SMD or Through Hole | M29W400FB-55N3.pdf | |
![]() | PEB20320H-3.2V | PEB20320H-3.2V Infineon QFP | PEB20320H-3.2V.pdf | |
![]() | MC68HC16Z1CF16 | MC68HC16Z1CF16 MOTOROLA QFP | MC68HC16Z1CF16.pdf | |
![]() | DG9422DV-T1 | DG9422DV-T1 VISHAY SOT23-6 | DG9422DV-T1.pdf | |
![]() | OC-4-C | OC-4-C KSS SMD or Through Hole | OC-4-C.pdf |