Infineon Technologies IRLR3410PBF
- 제조업체 부품 번호
- IRLR3410PBF
- 제조업 자
- Infineon Technologies
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET N-CH 100V 17A DPAK
- 데이터 시트 다운로드
- 다운로드
IRLR3410PBF 가격 및 조달
가능 수량
9854 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 483.70600
- 우리의 가격
- 이메일로 견적
EIS에는 IRLR3410PBF 재고가 있습니다. 우리는 Infineon Technologies 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 Infineon Technologies 전자 부품 전문. IRLR3410PBF 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. IRLR3410PBF가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
- IRLR3410PBF 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
IRLR3410PBF 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-IRLR3410PBF | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IRLR/U3410PbF | |
| 제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) | |
| 설계 리소스 | IRLR3410TRPBF Saber Model IRLR3410TRPBF Spice Model | |
| PCN 조립/원산지 | Warehouse Transfer 29/Jul/2015 | |
| PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | HEXFET® | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 새 설계에 권장하지 않음(NRND) | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 17A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 105m옴 @ 10A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 34nC(5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 800pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 79W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
| 공급 장치 패키지 | D-Pak | |
| 표준 포장 | 75 | |
| 다른 이름 | 64-4104PBF 64-4104PBF-ND SP001552798 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IRLR3410PBF | |
| 관련 링크 | IRLR34, IRLR3410PBF 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
IRLR3410PBF 의 관련 제품
 | AQ149M121KAJBE | 120pF 300V 세라믹 커패시터 M 1111(2828 미터법) 0.110" L x 0.110" W(2.79mm x 2.79mm) | AQ149M121KAJBE.pdf | |
 | ABLSG-24.576MHZ-D2Y-F-T | 24.576MHz ±20ppm 수정 18pF 40옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US - 3리드(Lead) | ABLSG-24.576MHZ-D2Y-F-T.pdf | |
 | PCR0805-1RJ1 | RES SMD 1 OHM 5% 1/4W 0805 | PCR0805-1RJ1.pdf | |
 | PF1262-430RF1 | RES 430 OHM 20W 1% TO126 | PF1262-430RF1.pdf | |
 | CMF2012-261-2P-T | CMF2012-261-2P-T HY SMD or Through Hole | CMF2012-261-2P-T.pdf | |
| ISP1104W /PB | ISP1104W /PB PH QFN | ISP1104W /PB.pdf | |
| R4F2116BG20V | R4F2116BG20V RENESAS BGA | R4F2116BG20V.pdf | |
| N1580001 | N1580001 SIGNETICS SMD or Through Hole | N1580001.pdf | |
| MB652471UPF-G-BND | MB652471UPF-G-BND FUJ QFP | MB652471UPF-G-BND.pdf | |
| TCM811LERCTR.. | TCM811LERCTR.. MICROCHIP SMD or Through Hole | TCM811LERCTR...pdf | |
| D254K42FCS | D254K42FCS ROD SMD or Through Hole | D254K42FCS.pdf |