창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IRLR2905ZTRLPBF | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IRLR2905ZPbF, IRLU2905ZPbF | |
| 제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) | |
| PCN 조립/원산지 | Mosfet Fab Transfer 15/Jul/2013 Backend Wafer Transfer 23/Oct/2013 | |
| PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | HEXFET® | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 새 설계에 권장하지 않음(NRND) | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 55V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 42A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 13.5m옴 @ 36A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 35nC(5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1570pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 110W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
| 공급 장치 패키지 | D-Pak | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | IRLR2905ZTRLPBF-ND SP001568548 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IRLR2905ZTRLPBF | |
| 관련 링크 | IRLR2905Z, IRLR2905ZTRLPBF 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
![]() | MKP385282063JCA2B0 | 8200pF Film Capacitor 220V 630V Polypropylene (PP), Metallized Radial 0.394" L x 0.118" W (10.00mm x 3.00mm) | MKP385282063JCA2B0.pdf | |
![]() | TLV320AIC29IRGZR | TLV320AIC29IRGZR TI QFN48 | TLV320AIC29IRGZR.pdf | |
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![]() | 225P47494XD3 | 225P47494XD3 vishay SMD or Through Hole | 225P47494XD3.pdf | |
![]() | DS725 | DS725 ORIGINAL DIP-8 | DS725.pdf | |
![]() | AP9452G/9452 | AP9452G/9452 ORIGINAL SOT-89 | AP9452G/9452.pdf | |
![]() | CD43-152 | CD43-152 ORIGINAL SMD or Through Hole | CD43-152.pdf | |
![]() | IDT54FCT827DB | IDT54FCT827DB IDT PDIP | IDT54FCT827DB.pdf |