창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IRLR110TRR | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IRLR110, IRLU110 | |
| 비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Vishay Siliconix | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 4.3A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 540m옴 @ 2.6A, 5V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 6.1nC(5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 250pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 2.5W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
| 공급 장치 패키지 | D-Pak | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IRLR110TRR | |
| 관련 링크 | IRLR11, IRLR110TRR 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
![]() | 5500R-274K | 270µH Unshielded Inductor 2.1A 226 mOhm Max Nonstandard | 5500R-274K.pdf | |
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![]() | V680-HS63-W 12.5M | IP67 HF BLOCK ANTENNA | V680-HS63-W 12.5M.pdf | |
![]() | UPD780021ATGK-N09-9ET | UPD780021ATGK-N09-9ET NEC QFN | UPD780021ATGK-N09-9ET.pdf | |
![]() | EMF9 | EMF9 ROHM SOT-553 | EMF9.pdf | |
![]() | PCD80715HL/A | PCD80715HL/A PHI QFP | PCD80715HL/A.pdf | |
![]() | BGY888,112 | BGY888,112 NXP SOT115 | BGY888,112.pdf | |
![]() | 640453-7 | 640453-7 AMP/WSI SMD or Through Hole | 640453-7.pdf | |
![]() | ADM4073HWRJZREEL7 | ADM4073HWRJZREEL7 ADI SOT23-6 | ADM4073HWRJZREEL7.pdf | |
![]() | ELM3-270 | ELM3-270 BIV SMD or Through Hole | ELM3-270.pdf | |
![]() | h4p | h4p hel SMD or Through Hole | h4p.pdf | |
![]() | NSK1682H | NSK1682H NA DIP24 | NSK1682H.pdf |