창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IRLR024PBF | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IRLR024, IRLU024 | |
| 비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Vishay Siliconix | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 14A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 100m옴 @ 8.4A, 5V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 18nC(5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 870pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 2.5W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
| 공급 장치 패키지 | D-Pak | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IRLR024PBF | |
| 관련 링크 | IRLR02, IRLR024PBF 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
![]() | Y16293K83000T0W | RES SMD 3.83K OHM 1/10W 0805 | Y16293K83000T0W.pdf | |
![]() | Y0089112K120TP0L | RES 112.12KOHM 0.6W 0.01% RADIAL | Y0089112K120TP0L.pdf | |
![]() | AT-904(40) | RF Attenuator 4dB ±0.7dB 0 ~ 8GHz 50 Ohm 1W | AT-904(40).pdf | |
![]() | ISL28195FHZ-T7 | ISL28195FHZ-T7 INTERSIL SOT23-6 | ISL28195FHZ-T7.pdf | |
![]() | L394HGGDHT | L394HGGDHT LENOO SMD or Through Hole | L394HGGDHT.pdf | |
![]() | PS7341C-2A | PS7341C-2A NEC DIP | PS7341C-2A.pdf | |
![]() | TLV320DAC23IPWG4 | TLV320DAC23IPWG4 TI TSSOP | TLV320DAC23IPWG4.pdf | |
![]() | 7343-Y5C2-ASVB/P/R4/MS | 7343-Y5C2-ASVB/P/R4/MS Everlight SMD or Through Hole | 7343-Y5C2-ASVB/P/R4/MS.pdf | |
![]() | 6L160M003AGBE | 6L160M003AGBE MAXTOR SMD or Through Hole | 6L160M003AGBE.pdf | |
![]() | FD1000FV-90 | FD1000FV-90 MITSUBISHI SMD or Through Hole | FD1000FV-90.pdf | |
![]() | D1NB80 | D1NB80 ST TO-251 | D1NB80.pdf | |
![]() | UP6381 | UP6381 uPISemico QFN10 | UP6381.pdf |